CSU-IDE V6.0.4
CSU-IDEV6.0.4更新如下(xià)
1、解決CSU3AFX10系列，調用(yòng)空(kōng)函數後GIE被清0問題。
2、增加型号CSU32PB17/CS18F88/CS8M188/CS8P320/CS8M320/CS8M321/CS8M326/CS8M330/CS8M3201。
産品
産品概述 收藏
CSU18M88
CSU18M88 是一顆帶 24 Bits ADC 的 SOC，内置 8k×16 位 MTP 程序存儲器 、128 字節 EEPROM 和(hé) 896 字節數據存儲器。
高(gāo)性能(néng)的 RISC CPU
8 位 MCU
内置 8k×16Bits 的 MTP 程序存儲器(燒錄次數 1000 次)和(hé) 128Bytes EEPROM(燒錄次數 10000 次)
896 字節數據存儲器（SRAM）：需要翻頁
43 條指令、8 級存儲堆棧
指令周期爲：ICK/4、ICK/8、ICK/16、ICK/32
内置 8k×16Bits 的 MTP 程序存儲器(燒錄次數 1000 次)和(hé) 128Bytes EEPROM(燒錄次數 10000 次)
896 字節數據存儲器（SRAM）：需要翻頁
43 條指令、8 級存儲堆棧
指令周期爲：ICK/4、ICK/8、ICK/16、ICK/32
振蕩器
8MHz/10.5MHz、4MHz/5.2MHz 振蕩器，精度 爲±1%（常溫 25℃，3.3V）
3kHz WDT 振蕩器，精度爲±10%。
可外(wài)接 32768Hz 晶振作(zuò)爲 RTC 時(shí)鐘(zhōng)，支持 RTC 功能(néng)
3kHz WDT 振蕩器，精度爲±10%。
可外(wài)接 32768Hz 晶振作(zuò)爲 RTC 時(shí)鐘(zhōng)，支持 RTC 功能(néng)
專用(yòng)微控制器的特性
上(shàng)電複位（POR）
上(shàng)電複位延遲定時(shí)器（典型值 39ms）
低(dī)電壓複位（LVR，典型值偏差 50 mV）
定時(shí)器 0 − 可編程預分頻的 8 位的定時(shí)器
定時(shí)/計(jì)數器 1、2、3 − 可編程預分頻的 8 位的分頻器
看(kàn)門(mén)狗定時(shí)器（3K WDT）
上(shàng)電複位延遲定時(shí)器（典型值 39ms）
低(dī)電壓複位（LVR，典型值偏差 50 mV）
定時(shí)器 0 − 可編程預分頻的 8 位的定時(shí)器
定時(shí)/計(jì)數器 1、2、3 − 可編程預分頻的 8 位的分頻器
看(kàn)門(mén)狗定時(shí)器（3K WDT）
CMOS 技術
電壓工(gōng)作(zuò)範圍
− DVDD：2.4V~3.6V；
− AVDD：2.4V~3.6V
− DVDD：2.4V~3.6V；
− AVDD：2.4V~3.6V
低(dī)功耗特性
MCU 工(gōng)作(zuò)電流 − 正常模式(工(gōng)作(zuò)電壓 3V，27℃)
數字部分 0.46mA@1MHzMCU 時(shí)鐘(zhōng)(不開(kāi) 外(wài)設)
模拟部分典型值 0.45mA@一般模式
模拟部分 0.75mA@性能(néng)模式 − 休眠模式下(xià)的電流典型值小(xiǎo)于 0.8μA − 休眠+WDT 模式下(xià)的電流典型值小(xiǎo)于 2μA
數字部分 0.46mA@1MHzMCU 時(shí)鐘(zhōng)(不開(kāi) 外(wài)設)
模拟部分典型值 0.45mA@一般模式
模拟部分 0.75mA@性能(néng)模式 − 休眠模式下(xià)的電流典型值小(xiǎo)于 0.8μA − 休眠+WDT 模式下(xià)的電流典型值小(xiǎo)于 2μA
封裝
SOP16
SOP20
SOP24
LQFP48
SOP20
SOP24
LQFP48
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收起
技術文(wén)檔
産品手冊(1)
工(gōng)具/軟件
